根據(jù)《GB/T 4937.42-2023 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第42部分：溫濕度貯存》標(biāo)準(zhǔn)的要求，IC晶片需要進(jìn)行溫濕度貯存試驗(yàn)。溫濕度貯存試驗(yàn)又分為濕熱試驗(yàn)和不飽和高壓蒸煮試驗(yàn)。試驗(yàn)過程中，用到哪些設(shè)備？下面我們來看看。

一、濕熱試驗(yàn)：

1. 試驗(yàn)設(shè)備：交變濕熱試驗(yàn)箱
2. 試驗(yàn)要求
a. 40℃、90%RH，持續(xù)8000h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。
b. 60℃、90%RH，持續(xù)4000h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。
c. 85℃、85%RH，持續(xù)1000h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。

二、不飽和高壓蒸煮試驗(yàn)：

1. 試驗(yàn)設(shè)備：HAST不飽蒸汽壽命試驗(yàn)機(jī)
2. 試驗(yàn)要求
a. 110℃、85%RH，持續(xù)264h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。
b. 120℃、85%RH，持續(xù)168h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。
c. 130℃、85%RH，持續(xù)96h的存儲(chǔ)試驗(yàn)。

試驗(yàn)完成且確保試驗(yàn)箱內(nèi)的溫濕度恢復(fù)到接近規(guī)定的溫濕度曲線時(shí)，將器件從試驗(yàn)箱中取出，并放置在室溫下。器件應(yīng)在室溫環(huán)境下保持2h后開始進(jìn)行電性能測(cè)試，直至測(cè)試完畢。

在不飽和高壓蒸煮試驗(yàn)下，試驗(yàn)完成后處理器件時(shí)應(yīng)小心謹(jǐn)慎，因?yàn)榭赡軙?huì)發(fā)生不同于其他試驗(yàn)導(dǎo)致的失效模式，此類失效模式是由于冷凝、溫度和壓力突變和其他相關(guān)因素造成的。